ক্যাস 409-21-2 উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড পাউডার ন্যানো SiC ন্যানোপাউডার এবং ন্যানো পার্টিকেল

সিলিকন কার্বাইড (SiC), যা কার্বোরান্ডাম নামেও পরিচিত, হল সিলিকন এবং কার্বনের একটি যৌগ যার রাসায়নিক সূত্র SiC। এটি প্রকৃতিতে অত্যন্ত বিরল খনিজ মইসানাইট হিসাবে পাওয়া যায়। 1893 সাল থেকে কৃত্রিম সিলিকন কার্বাইড পাউডার ব্যাপকভাবে ক্ষয়কারী হিসেবে ব্যবহৃত হচ্ছে। সিলিকন কার্বাইডের দানাগুলিকে সিন্টারিং করে খুব শক্ত সিরামিক তৈরি করা যেতে পারে যা উচ্চ সহনশীলতার প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যেমন গাড়ির ব্রেক, গাড়ির ক্লাচ এবং বুলেটপ্রুফ ভেস্টে সিরামিক প্লেট। সিলিকন কার্বাইডের ইলেকট্রনিক প্রয়োগ যেমন আলোক-নির্গমনকারী ডায়োড (LED) এবং প্রাথমিক রেডিওতে ডিটেক্টর প্রথম 1907 সালের দিকে প্রদর্শিত হয়েছিল। উচ্চ তাপমাত্রা বা উচ্চ ভোল্টেজ, অথবা উভয় ক্ষেত্রেই পরিচালিত সেমিকন্ডাক্টর ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসে SiC ব্যবহার করা হয়। সিলিকন কার্বাইডের বৃহৎ একক স্ফটিক লেলি পদ্ধতিতে জন্মানো যেতে পারে; এগুলিকে সিন্থেটিক মইসানাইট নামে পরিচিত রত্নগুলিতে কাটা যেতে পারে। উদ্ভিদ উপাদানে থাকা SiO2 থেকে উচ্চ পৃষ্ঠতলের ক্ষেত্রফল সহ সিলিকন কার্বাইড তৈরি করা যেতে পারে।