Cas 409-21-2 উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড পাউডার ন্যানো SiC ন্যানোপাউডার এবং ন্যানো পার্টিকেল

সিলিকন কার্বাইড (SiC), কার্বোরান্ডাম নামেও পরিচিত, রাসায়নিক সূত্র SiC সহ সিলিকন এবং কার্বনের একটি যৌগ।এটি অত্যন্ত বিরল খনিজ ময়সানাইট হিসাবে প্রকৃতিতে ঘটে।সিন্থেটিক সিলিকন কার্বাইড পাউডার 1893 সাল থেকে একটি ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম হিসাবে ব্যবহারের জন্য ব্যাপকভাবে উত্পাদিত হয়েছে।সিলিকন কার্বাইডের দানাগুলিকে সিন্টারিং করে একত্রে বন্ধন করা যেতে পারে খুব শক্ত সিরামিক তৈরি করতে যা ব্যাপকভাবে ব্যবহার করা হয় উচ্চ সহনশীলতার প্রয়োজন, যেমন গাড়ির ব্রেক, গাড়ির ক্লাচ এবং বুলেটপ্রুফ ভেস্টে সিরামিক প্লেট।সিলিকন কার্বাইডের বৈদ্যুতিন প্রয়োগ যেমন আলো-নিঃসরণকারী ডায়োড (এলইডি) এবং প্রাথমিক রেডিওতে ডিটেক্টর প্রথম প্রদর্শিত হয়েছিল 1907 সালের দিকে। SiC সেমিকন্ডাক্টর ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসগুলিতে ব্যবহৃত হয় যেগুলি উচ্চ তাপমাত্রা বা উচ্চ ভোল্টেজ বা উভয়েই কাজ করে।সিলিকন কার্বাইডের বড় একক ক্রিস্টাল লেলি পদ্ধতিতে জন্মানো যায়;তারা সিন্থেটিক moissanite নামে পরিচিত রত্ন মধ্যে কাটা যেতে পারে.উচ্চ পৃষ্ঠ এলাকা সহ সিলিকন কার্বাইড উদ্ভিদ উপাদানে থাকা SiO2 থেকে উত্পাদিত হতে পারে।